電子回折による結晶性評価

透過電子顕微鏡では電子回折図形を得ることができ、結晶性の評価ができます。下の写真はXe照射によってSiO₂上非結晶質Siをエピタキシャル成長させた試料です。Si基盤上に直接成長させた部分（写真a）では、完全な単結晶を示しています。SiO₂層端部の成長層（写真b）では{111}方位に3倍周期の過剰斑点が観察され、高密度の積層欠陥の発生を示しています。また、SiO₂層端部より500nm以上離れた領域（写真c）では、完全なアモルファスを示しています。