全反射蛍光X線分析 TXRF

半導体メーカーの方へ
半導体製造プロセスに必要な清浄度の管理評価にお応えします！

半導体製造プロセスでの汚染を防ぐために・・・

半導体の製造において清浄度は品質を決める重要なポイントです。
製造工程における汚染を確認する必要があります。
迅速に、高感度に、かつ多くの元素を検出できる分析方法が必要です。

こんなことでお困りなら、NTT-ATの全反射蛍光X線分析を！

現在の分析方法で、こんなお悩みはありませんか？

• 分析に時間がかかりすぎる。
• 感度が足りない。
• 汚染箇所の特定が難しい。
• 検出できる元素が少ない。
• 異種基板や膜付基板が分析できない。

NTT-ATの全反射蛍光X線分析なら

迅速

サンプル受付後、1～2営業日での対応が可能です。

高感度

• 10⁹atoms/cm²レベルの高感度。
• 非破壊・非接触で煩雑な前処理が不要なため、コンタミネーションを抑制。
• 面内分布を取ることで、汚染箇所を特定。

多元素

• 多元素同時分析。（※）
• 異種基板（サファイア、GaAs、ガラス）や膜付基板（有機膜、金属膜等）にも対応

広範囲な適用サイズ

• 2ｲﾝﾁ～12ｲﾝﾁ
  ※小径サイズ応相談

分析の仕組み

図１　装置概要

高感度、多元素分析の理由はトリプルビーム

3種類のX線源（トリプルビーム）により、Wビームでは高感度に測定できないナトリウム（Na）、モリブデン（Mo）等の元素も高感度に評価する事が出来ます。

図2　全反射蛍光X線分析の検出下限値（シリコンウエハ)

測定可能元素

Na～U

3種類のX線源別の測定可能元素

適用例

SiC基板表面の金属汚染評価事例
TXRF、ICP-MSにて評価した次世代パワー半導体の基板表面の極微量金属汚染事例です。