全反射蛍光X線分析 TXRF

半導体メーカーの方へ
半導体製造プロセスに必要な清浄度の管理評価にお応えします！

半導体製造プロセスでの汚染を防ぐために・・・

半導体製造では清浄度が品質を大きく左右するため、製造工程における汚染状況を正確に把握することが重要です。
そのため、迅速かつ高感度で多くの元素を検出できる分析手法が求められます。

こんなことでお困りなら、NTT-ATの全反射蛍光X線分析を！

現在の分析方法で、こんなお悩みはありませんか？

• 分析に時間がかかりすぎる
• 感度が足りない
• 汚染箇所の特定が難しい
• 検出できる元素が少ない
• 異種基板や膜付基板が分析できない

NTT-ATの全反射蛍光X線分析なら

迅速

• サンプル受付後、6営業日程度で対応可能
• 通常の期間から短縮して3営業日程度で速報を提出する"特急サービス"も対応可能

高感度

• 10⁹atoms/cm²～
• 非破壊・非接触で煩雑な前処理が不要なため、コンタミネーションを抑制
• 面内分布を取ることで、汚染箇所を特定

多元素

• 多元素同時分析
  ※ 検出元素に制限があります。ご相談ください。
• 異種基板（サファイア、GaAs、ガラス）や膜付基板（有機膜、金属膜等）にも対応

広範囲な適用サイズ

• 2インチ～12インチ
  ※ 小径サイズ応相談

分析の仕組み

高感度、多元素分析の理由はトリプルビーム

3種類のX線源（トリプルビーム）により、Wビームでは高感度に測定できないナトリウム（Na）、モリブデン（Mo）等の元素も高感度に評価する事が出来ます。

異なるビームでも同じ元素を測定する事が出来ますが、感度や妨害ピークによる干渉を考慮し、最適なビームを選択する事が出来ます。

測定可能元素

Na～U

3種類のX線源別の測定可能元素

Crビーム	Na～Al
Wビーム	Si～Zn、Rh～Lu（特にK～Znに対して効果的です）
Agビーム	Ga～Ru、Hf～U（特にAs、Zr、Mo、Ta、W、Br、Pt、Auに対して効果的です）