

NTT-AT bringt ein neues, leichtes und schlankes Modell eines "USB-Kompakt-Schnellladegeräts" auf den Markt (PR TIMES Webseite)
Ihr Smartphone, Laptop und Netzteil machen Ihre Tasche schwer.
Ab jetzt ist dieser OK!
Beim Transport elektronischer Geräte ist die Stromversorgung und Ladung zwingend erforderlich. Wenn Sie jedoch für jedes Gerät ein anderes Netzteil mitnehmen, wird es schwer und viel Gepäck. Hatten Sie schon einmal Probleme beim Pendeln oder Reisen?
Die Lösung für diese Probleme ist ein kompaktes Schnellladegerät, das mit FETs aus epitaktischen Galliumnitrid-Wafern (GaN) ausgestattet ist NTT-AT. Dieses Gerät ist mit USB-Anschlüssen kompatibel und kann Smartphones, Tablets, Laptops usw. schnell aufladen. * Um einen Laptop aufzuladen, muss der Laptop mit Power Delivery (PD) kompatibel sein.
Durch den Einsatz der GaN-Technologie von NTT-AT im Schalterbereich weist es im Vergleich zu herkömmlichen Silizium-Ladegeräten eine hervorragende Energieeffizienz auf und hat eine Reduzierung von Größe und Gewicht erreicht, während es eine hohe Leistung beibehält. Nitrid-Halbleiter, repräsentiert durch Galliumnitrid, werden als umweltfreundliche Geräte erwartet, die die kohlenstoffarme Gesellschaft der Zukunft unterstützen werden.
Dieses Produkt wird auch als optionales Zubehör für den zugehörigen Empfänger für den bidirektionalen, geräteübergreifenden Informationsverteilungsdienst @ InfoCanal® von NTT-AT erhältlich sein.
3 Merkmale des mit GaN ausgestatteten Schnellladegeräts
Gleichzeitiges Schnellladen für 2 Geräte
Ausgestattet mit einem USB-C-Anschluss, der USB PD unterstützt.
Es ist mit einer Vielzahl von Geräten wie Smartphones, Tablets und Notebook-PCs kompatibel und kann zwei Geräte gleichzeitig schnell aufladen.
kompaktes Design
Dank seines leichten, kompakten Designs und des faltbaren Steckers lässt es sich problemlos überallhin mitnehmen.
Natürlich ist es leichter und kleiner als ein Laptop-Netzteil.
Darüber hinaus ist das neue schlanke Modell etwa zwei Drittel leichter als das Vorgängermodell (33 % leichter).
Schnellladung für Smartphones und Tablet-Geräte
Lädt bis zu 3 Mal schneller als ein typisches 5-Watt-Ladegerät.
Darüber hinaus unterstützt es auch den Standard Programmable Power Supply (PPS), eine Option für PD, die das Laden von PPS-kompatiblen Smartphones mit voller Geschwindigkeit ermöglicht.
Hauptspezifikationen
| Modellnummer | GPT065-PD-N01
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GC065US110SW
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|---|---|---|---|
| Maximale Leistung | 65 W | ||
| Ausgangsport | USB-C x 2 | USB-A x 1 USB-C x 1 |
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| Größe | 38×29.5×66 mm | 15×46×85 mm | |
| Gewicht | 130g | 87 g | |
| Eingang | 100 V bis 240 V Wechselstrom, 50 bis 60 Hz | ||
| Ausgang | 1 Port Bei Verwendung |
USB-C1- und C2-Anschlüsse: Max. 65 W |
USB-A: Max. 18 W USB-C: bis zu 65 W |
| 2 Anschlüsse Bei Verwendung |
USB-C1-Anschluss: Max. 45 W USB-C2-Anschluss: Max. 18 W *Bei Verwendung von 2 Ports Maximale Gesamtleistung: 63 W |
USB-A: Max. 12 W USB-C: bis zu 45 W *Bei Verwendung von 2 Ports Maximale Gesamtleistung: 57 W |
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| Konvertierungsstecker-Adapter (Option) |
― | BF、O、C※ | |

| BF O C |
(Großbritannien, Singapur, Hongkong usw.) (Australien, Fidschi, Neuseeland usw.) (Frankreich, Deutschland, Indonesien, Vietnam, Chile usw.) |
*Änderungen der Spezifikationen vorbehalten.
* PSE-Marke erworben.
* Für Verkäufe außerhalb Japans ist eine Zertifizierung gemäß dem jeweiligen nationalen Gesetz über die Sicherheit elektrischer Geräte und Materialien erforderlich.
Bedienungsanleitung
Sie können die Bedienungsanleitung für das mit GaN ausgestattete USB-Schnellladegerät herunterladen.
| Bedienungsanleitung GPT065-PD-N01 | 445 KB | Download |
|---|---|---|
| Bedienungsanleitung GC065US110SW | 704 KB | Download |
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Über GaN-Produkte und -Technologien
- Netzteil mit GaN-LED-Straßenlaterne
- Der hohe Energiespareffekt reduziert den Standby-Stromverbrauch deutlich. Selbst wenn Sie bereits über eine LED-Straßenbeleuchtung verfügen, können Sie noch mehr sparen.
- Nitridhalbleiter-Epitaxialwafer
- Bei Fragen zur GaN-Technologie, zur Einführung von GaN-Wafern in die Produkte Ihres Unternehmens, zu Kaufanfragen usw. kontaktieren Sie uns bitte über die Seite Nitride Semiconductor Epitaxial Wafers.



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