絶縁膜形成
半導体プロセスサービス
プラズマCVD、スパッタによる各種絶縁膜形成を承ります。
仕様
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形成方式
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対応可能絶縁膜
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対応可能基板
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対応可能サイズ
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|---|---|---|---|
| プラズマCVD | SiNx、SiO2 | GaAs、InP、Si、石英、 サファイア、GaN、SiC |
Φ2"~Φ4"、 不定形 |
形成方式「スパッタ」につきましては、薄膜形成・加工のページをご覧ください。
評価
触針段差計による膜厚評価、及びエリプソメータによる膜質・膜厚評価が可能です。
プラズマCVD、スパッタによる各種絶縁膜形成を承ります。
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形成方式
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対応可能絶縁膜
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対応可能基板
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対応可能サイズ
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| プラズマCVD | SiNx、SiO2 | GaAs、InP、Si、石英、 サファイア、GaN、SiC |
Φ2"~Φ4"、 不定形 |
形成方式「スパッタ」につきましては、薄膜形成・加工のページをご覧ください。
触針段差計による膜厚評価、及びエリプソメータによる膜質・膜厚評価が可能です。