透過電子顕微鏡 TEM

デバイス・材料の形態・構造・組成評価を原子レベルで行います。NTT-AT の材料分析サービスラインナップのひとつであるTEM による半導体材料の形態観察は、NTT 研究所で長年培ってきた膨大な分析件数と、そのノウハウの結晶ともいえる分析サービスです。

透過型電子顕微鏡 TEM

単結晶基板表面の研磨ダメージによる結晶欠陥観察

グラフェン(graphene)の断面TEM観察

次世代半導体材料 酸化ガリウムの原子分解能STEM観察

EDS-STEM, EELS-STEMによる原子スケールでの元素マッピング

高温環境下でのTEM/STEM観察

金属材料のTEM観察

金属多層膜の断面構造観察

Si表面の単原子ステップの断面構造観察

カーボンナノチューブのHRTEM観察

電子回折による結晶性評価

ウィークビーム法によるGaNエピ膜の転位観察

Micro-Sampling技術

収束電子線回折(CBED)法によるGaNの極性判定