Chargeur rapide USB avec GaN
Chargeur compatible Power Delivery (PD), petit et performant
スマホにノートパソコン、それぞれのACアダプターでカバンが重い・・・。
これからは、この1台でOK！
Lorsqu'il s'agit de transporter des appareils électroniques, il est absolument nécessaire d'alimenter et de charger. Cependant, si vous transportez des adaptateurs secteur différents pour chaque appareil, ce sera lourd et vous aurez beaucoup de bagages. Avez-vous déjà eu du mal à vous déplacer ou à voyager ?
La solution à ces problèmes réside dans un chargeur rapide compact équipé de FET fabriqués à partir de tranches épitaxiales de nitrure de gallium (GaN) NTT-AT. Compatible avec les ports USB, cette unité peut charger rapidement les smartphones, tablettes, ordinateurs portables, etc. * Pour charger un ordinateur portable, celui-ci doit être compatible avec Power Delivery (PD).
Adoptant la technologie GaN NTT-AT dans la section des commutateurs, il présente une excellente efficacité énergétique par rapport aux chargeurs au silicium conventionnels et a permis de réduire la taille et le poids tout en maintenant un rendement élevé. Les semi-conducteurs au nitrure, représentés par le nitrure de gallium, sont très attendus en tant que dispositifs verts qui soutiendront la société à faible émission de carbone du futur.
Ce produit sera également disponible en tant qu'accessoire optionnel pour le récepteur dédié au service de distribution d'informations bidirectionnel et multi-appareils compatible de NTT-AT @ InfoCanal®.
GaN搭載急速充電器 3つの特徴
2台同時急速充電
Équipé d'un port USB-C prenant en charge USB PD.
Il est compatible avec une large gamme d'appareils tels que les smartphones, les tablettes et les ordinateurs portables, et peut charger rapidement deux appareils en même temps.
コンパクト設計
Sa conception légère et compacte, ainsi que sa prise pliable, la rendent facile à transporter partout.
Bien sûr, il est plus léger et plus petit qu'un adaptateur secteur pour ordinateur portable.
De plus, le nouveau modèle mince est environ deux tiers plus léger que le modèle précédent (33 % plus léger).
スマートフォン、タブレット端末への急速充電
Recharge jusqu'à 3 fois plus vite qu'un chargeur 5W classique.
De plus, il prend également en charge la norme d'alimentation programmable (PPS), qui est une option pour PD, permettant une charge à pleine vitesse des smartphones compatibles PPS.
主要仕様
| Numéro de modèle |
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|---|---|---|---|
| Sortie maximale | 65W | ||
| port de sortie | USB-C x 2 | USB-A x 1 USB-C x 1 |
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| Taille | 38×29.5×66 mm | 15×46×85 mm | |
| lester | 130ｇ | 87 g | |
| saisir | 100V à 240V CA, 50 à 60Hz | ||
| sortir | 1 port En utilisation |
Ports USB-C1 et C2 : Max 65W |
USB-A : 18 W max. USB-C : jusqu’à 65 W |
| 2 ports En utilisation |
Port USB-C1 : Max 45W Port USB-C2 : Max 18W *Lors de l'utilisation de 2 ports Puissance de sortie maximale totale : 63 W |
USB-A : 12 W max. USB-C : jusqu’à 45 W *Lors de l'utilisation de 2 ports Puissance de sortie maximale totale : 57 W |
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| Adaptateur de prise de conversion (option) |
― | BF、O、C※ | |
※変換プラグアダプタ（オプション）：
| BF | （イギリス、シンガポール、香港、など） |
| O | （オーストラリア・フィジー・ニュージーランド、など） |
| C | （フランス、ドイツ、インドネシア、ベトナム、チリ、など） |
*Les spécifications peuvent être modifiées sans préavis.
* Marque PSE obtenue.
* Pour les ventes hors du Japon, une certification conforme à la loi sur la sécurité des appareils et matériaux électriques de chaque pays est requise.
mode d'emploi
Vous pouvez télécharger le manuel d’instructions du chargeur rapide USB équipé de GaN.
À propos de l'achat
Les produits peuvent être achetés sur NTT-AT Creative.
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各種ご相談
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Veuillez Demandes en anglais en utilisant le bouton « Consulter un représentant ».
GaN製品・技術について
- Bloc d'alimentation avec lampadaire LED GaN
- L'effet d'économie d'énergie élevé réduit considérablement la consommation d'énergie en mode veille. Même si vous avez déjà un éclairage public à LED, vous pouvez économiser encore plus.
- Plaquette épitaxiale semi-conductrice nitrure
- Demandes en anglais concernant la technologie GaN, ou si vous souhaitez intégrer ou acheter des plaquettes GaN dans les produits de votre entreprise, veuillez Demandes en anglais via la page dédiée aux plaquettes épitaxiales de semi-conducteurs nitrurés.