plaquette épitaxiale semi-conductrice de nitrure
Qu'est-ce qu'une plaquette épitaxiale de semi-conducteur nitrure ?
Les dispositifs de puissance utilisant des semi-conducteurs au nitrure devraient être des dispositifs verts qui soutiennent la future société à faible émission de carbone.
NTT-AT contribue à la réalisation précoce de la conservation de l'énergie grâce à sa technologie de fabrication de tranches épitaxiales de semi-conducteurs à base de nitrure.
Les semi-conducteurs à base de nitrure, dont le nitrure de gallium (GaN) est un exemple typique, devraient constituer la prochaine génération de dispositifs de puissance car ils sont capables d'un fonctionnement à haute puissance, à haute résistance à la tension, à haute fréquence et à faibles pertes, dépassant ainsi les limites des dispositifs de puissance en silicium actuellement largement utilisés.
Rencontrez-vous l'un des défis suivants lors du développement de dispositifs de puissance ?
- Je veux essayer différents types de substrats qui n'ont pas décidé quel type de substrat utiliser.
- Nous aimerions sécuriser un futur système de production de masse tout en faisant une production d'essai avec une petite quantité de produits divers.
- Bien sûr, une taille de grand diamètre est également requise.
plaquettes épitaxiales de semi-conducteurs nitrurés de NTT-AT
- Nous avons la technologie pour faire croître des cristaux sur des substrats de silicium (Si), de saphir (Al2O3), de carbure de silicium (SiC) et de nitrure de gallium (GaN), et pouvons gérer tous les substrats utilisés pour les systèmes de nitrure. Des études de développement utilisant plusieurs types de substrats peuvent être menées en parallèle. Nous ne perdons pas votre temps précieux.
- Nous acceptons les commandes allant des prototypes à petite échelle à la production de masse.
- Il est également compatible avec les substrats de silicium de grand diamètre de 8 pouces. De plus, la fabrication d'appareils et l'analyse de matériaux sont également possibles grâce à la collaboration avec nos départements concernés.
Exemple d'application
- Petit chargeur rapide USB
- Lampadaire LED
- Dispositifs d'alimentation pour stations de base mobiles
- Dispositif d'alimentation automobile
- Dispositifs d'alimentation pour appareils électroménagers
- Appareil résistant à l'environnement
HEMT structure for Power application (on 6 inch Si)
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| Numéro d'article | Bouchon de GaN | Barrière AlGaN | AIN | Canaliser | |
|---|---|---|---|---|---|
| Contenu | Épaisseur | Entretoise | |||
| SEE61K22227S20G | 2nm | 0.22 | 27 nm | 1nm | 200 nm |
| SEE61K22227S30G | 2nm | 0.22 | 27 nm | 1nm | 300nm |
| SEE61K22515S30G | 2nm | 0.25 | 15 nm | 1nm | 300nm |
| SEE61K22520S30G | 2nm | 0.25 | 20 nm | 1nm | 300nm |
| SEE61K22525S30G | 2nm | 0.25 | 25 nm | 1nm | 300nm |
| SEE61K23020S30G | 2nm | 0.30 | 20 nm | 1nm | 300nm |
| SEE61K21745N30G | 2nm | 0.17 | 45 nm | - | 300nm |
| SEE61K22520N30G | 2nm | 0.25 | 20 nm | - | 300nm |
| SEE61K22520N35G | 2nm | 0.25 | 20 nm | - | 350 nm |
| SEE61K22520N40G | 2nm | 0.25 | 20 nm | - | 400 nm |
| SEE61K22526N15G | 2nm | 0.25 | 26 nm | - | 150 nm |
| SEE61K22526N20G | 2nm | 0.25 | 26 nm | - | 200 nm |
| SEE61K22526N35G | 2nm | 0.25 | 26 nm | - | 350 nm |
| SEE61K22527N35G | 2nm | 0.25 | 27 nm | - | 350 nm |
| SEE61K23020N30G | 2nm | 0.30 | 20 nm | - | 300nm |
| SEE61K02822S30G | - | 0.28 | 22 nm | 1nm | 300nm |
| couche de protection | |
|---|---|
| Matériaux | GaN |
| Épaisseur | 2 (nm) ou pas de plafond |
| Barrière | |
| Matériaux | AlGaN |
| Al contenu | 20~30 (%) |
| Épaisseur | 15~27 (nm) |
| Canaliser | |
| Matériaux | GaN |
| Épaisseur | 150~400 (nm) |
| Amortir | |
| Se doper | Dopage C |
| Épaisseur | ~3900 (nm) |
| Substrat | |
| Silicium | 1 mm d'épaisseur |
| Fonctionnalités | |
| Résistance de feuille : 350 ~ 400 ohm/carré (avec entretoise AlN), 450 ~ 500 ohm/carré (sans entretoise AlN) Mobilité électronique : ~1700 à 1900 cm2 /Vs FWHM (002): <800 secondes d'arc FWHM (102): <1400 secondes d'arc Tension de claquage : 800V – 1000V (selon la structure de l'appareil) Valeur d'inclinaison : < 50 um |
|
structure HEMT AlGaN/GaN produit épitaxial (exemple)
| Couche tampon | Matériau : (Al)GaN | |||
|---|---|---|---|---|
| Épaisseur : 1-3 μm | ||||
| Couche barrière | Matériau : AlGaN avec ou sans entretoise AlN | |||
| dopé ou non dopé | ||||
| Teneur en Al : 10-50 % | ||||
| Épaisseur : <~50nm | ||||
| couche de protection | Matériau : GaN | |||
| dopé ou non dopé | ||||
| Épaisseur : 0-5 nm | ||||
| Substrat | Si | Saphir | SiC | GaN |
| 4 à 8 pouces * | 2 à 3 pouces | 2～6 inch | 2 à 4 pouces | |
*Veuillez nous contacter si vous avez besoin d'un petit diamètre de 3 pouces ou moins.
Gamme disponible (6 pouces et 8 pouces)
| on Si substrate | AlGaN/GaN HEMT structure | |
|---|---|---|
| 6 inch | 8 inch | |
| Bouchon de GaN | ✔ | ✔ |
| in-situ SiN (~5nm) | ✔ | ✔ |
| in-situ SiN (~40nm) | ✔ | ✔ |
|
p-GaN (~80nm)
(Mg: 2x1019 cm-3) |
✔ | ✔ |
Téléchargement de documents
Document de données : « Amélioration attendue du rendement de fabrication des dispositifs - Plaquette épitaxiale AlGaN/GaN de 8 pouces avec une excellente uniformité »
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Services connexes
Pour les clients qui souhaiteraient effectuer une analyse structurelle et de composants sur ce produit ou prototype,
- Observation morphologique pour l'analyse de la morphologie, de la structure et de la structure cristalline des dispositifs et des matériaux
- Analyse chimique de l'analyse des traces des champs inorganiques et organiques à l'analyse des composants principaux
Pour les clients qui souhaitent externaliser leur processus de prototypage d'appareils
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Ce projet fait partie de la marque de solutions GX « NTT G×Inno » développée par le groupe NTT.
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C'est l'abréviation de « NTT GX (Green Transformation) x Innovation » et vise à fournir des solutions à la société à travers
Il s’agit d’une initiative visant à innover dans le domaine du GX et à contribuer à atteindre la neutralité carbone d’ici 2050.