wafer epitaksi semikonduktor nitrida
Apa itu wafer epitaksial semikonduktor nitrida?
Perangkat listrik yang menggunakan semikonduktor nitrida diharapkan menjadi perangkat hijau yang mendukung masyarakat rendah karbon di masa depan.
NTT-AT berkontribusi pada realisasi awal konservasi energi dengan teknologi manufaktur wafer epitaxial semikonduktor nitrida.
Semikonduktor nitrida, yang dicirikan oleh galium nitrida (GaN), diharapkan menjadi perangkat daya generasi berikutnya karena mampu menghasilkan keluaran tinggi, resistansi tegangan tinggi, frekuensi tinggi, dan operasi rugi rendah yang melampaui batas perangkat daya Si yang saat ini banyak digunakan.
Apakah Anda menghadapi salah satu tantangan berikut dalam mengembangkan perangkat listrik?
- Saya ingin mencoba berbagai jenis substrat yang belum memutuskan jenis substrat yang akan digunakan.
- Kami ingin mengamankan sistem produksi massal di masa depan sambil melakukan produksi percobaan dengan sejumlah kecil berbagai produk.
- Tentu saja, ukuran diameter yang besar juga diperlukan.
Wafer epitaksial semikonduktor nitrida NTT-AT
- Kami memiliki teknologi untuk menumbuhkan kristal pada substrat silikon (Si), safir (Al2O3), silikon karbida (SiC), dan galium nitrida (GaN), dan dapat menangani semua substrat yang digunakan untuk sistem nitrida. Studi pengembangan menggunakan beberapa jenis substrat dapat dilakukan secara paralel. Kami tidak menyia-nyiakan waktu berharga Anda.
- Kami menerima pesanan dari prototipe skala kecil hingga produksi massal.
- Ini juga kompatibel dengan substrat silikon 8 inci berdiameter besar. Selain itu, fabrikasi perangkat dan analisis material dimungkinkan melalui kolaborasi dengan departemen terkait kami.
Contoh aplikasi
- Pengisi daya cepat kecil USB
- Lampu jalan LED
- Perangkat daya untuk BTS seluler
- Perangkat daya otomotif
- Perangkat listrik untuk peralatan rumah tangga
- Perangkat tahan lingkungan
HEMT structure for Power application (on 6 inch Si)
Kami memiliki produk yang tersedia untuk pengiriman segera. Silakan Pertanyaan dalam bahasa Inggris.
Mengklik Nomor Bagian yang Anda inginkan akan menampilkan Pertanyaan dalam bahasa Inggris.
Kami mohon maaf atas ketidaknyamanan ini, tetapi mohon sertakan [Nomor Bagian] dan [Jumlah] di kolom permintaan.
| Nomor bagian | tutup GaN | Penghalang AlGaN | AlN | Saluran | |
|---|---|---|---|---|---|
| Isi | Ketebalan | Spacer | |||
| SEE61K22227S20G | 2nm | 0.22 | 27nm | 1nm | 200 nm |
| SEE61K22227S30G | 2nm | 0.22 | 27nm | 1nm | 300 nm |
| SEE61K22515S30G | 2nm | 0.25 | 15nm | 1nm | 300 nm |
| SEE61K22520S30G | 2nm | 0.25 | 20nm | 1nm | 300 nm |
| SEE61K22525S30G | 2nm | 0.25 | 25 nm | 1nm | 300 nm |
| SEE61K23020S30G | 2nm | 0.30 | 20nm | 1nm | 300 nm |
| SEE61K21745N30G | 2nm | 0.17 | 45 nm | - | 300 nm |
| SEE61K22520N30G | 2nm | 0.25 | 20nm | - | 300 nm |
| SEE61K22520N35G | 2nm | 0.25 | 20nm | - | 350 nm |
| SEE61K22520N40G | 2nm | 0.25 | 20nm | - | 400 nm |
| SEE61K22526N15G | 2nm | 0.25 | 26nm | - | 150 nm |
| SEE61K22526N20G | 2nm | 0.25 | 26nm | - | 200 nm |
| SEE61K22526N35G | 2nm | 0.25 | 26nm | - | 350 nm |
| SEE61K22527N35G | 2nm | 0.25 | 27nm | - | 350 nm |
| SEE61K23020N30G | 2nm | 0.30 | 20nm | - | 300 nm |
| SEE61K02822S30G | - | 0.28 | 22nm | 1nm | 300 nm |
| lapisan topi | |
|---|---|
| Bahan: | GaN |
| Ketebalan | 2 (nm) atau tanpa tutup |
| Penghalang | |
| Bahan: | AlGaN |
| Al konten | 20~30 (%) |
| Ketebalan | 15~27 (nm) |
| Saluran | |
| Bahan: | GaN |
| Ketebalan | 150~400 (nm) |
| Penyangga | |
| doping | C-doping |
| Ketebalan | ~3900 (nm) |
| Substrat | |
| silikon | Ketebalan 1mm |
| Fitur | |
| Resistansi lembaran: 350~400 ohm/sq. (dengan spacer AlN), 450~500 ohm/sq. (tanpa spacer AlN) Mobilitas Elektron: ~1700 hingga 1900 cm2 /Vs FWHM (002): <800 detik busur FWHM (102): <1400 detik busur Tegangan rusak: 800V – 1000V (tergantung pada struktur perangkat) Nilai membungkuk: <50um |
|
Produk epitaksial struktur AlGaN/GaN HEMT (contoh)
| Lapisan penyangga | Bahan: (Al)GaN | |||
|---|---|---|---|---|
| Ketebalan: 1-3 m | ||||
| Lapisan penghalang | Bahan: AlGaN dengan atau tanpa spacer AlN | |||
| didoping atau tidak didoping | ||||
| Al-konten: 10-50% | ||||
| Ketebalan: <~50nm | ||||
| lapisan topi | Bahan: GaN | |||
| didoping atau tidak didoping | ||||
| Ketebalan: 0-5nm | ||||
| Substrat | Si | Safir | SiC | GaN |
| 4 hingga 8 inci * | 2 hingga 3 inci | 2～6 inch | 2 hingga 4 inci | |
*Silakan hubungi kami jika Anda memerlukan diameter kecil 3 inci atau kurang.
Jajaran yang tersedia (6 inci & 8 inci)
| on Si substrate | AlGaN/GaN HEMT structure | |
|---|---|---|
| 6 inch | 8 inch | |
| tutup GaN | ✔ | ✔ |
| in-situ SiN (~5nm) | ✔ | ✔ |
| in-situ SiN (~40nm) | ✔ | ✔ |
|
p-GaN (~80nm)
(Mg: 2x1019 cm-3) |
✔ | ✔ |
Unduh materi
Dokumen data: "Peningkatan yang diharapkan dalam hasil produksi perangkat - wafer epitaksial AlGaN/GaN 8 inci dengan keseragaman yang sangat baik"
Jika Anda berminat, silakan mendaftar melalui Pertanyaan dalam bahasa Inggris.
Pertanyaan dalam bahasa Inggris
Untuk permintaan materi atau Pertanyaan dalam bahasa Inggris selain yang disebutkan di atas, silakan gunakan Pertanyaan dalam bahasa Inggris.
Layanan Terkait
Untuk pelanggan yang ingin melakukan analisis struktural dan komponen pada produk atau perangkat prototipe ini,
- Pengamatan morfologi untuk analisis morfologi perangkat dan material, struktur, dan struktur kristal
- Analisis kimia dari analisis jejak bidang anorganik dan organik hingga analisis komponen utama
Untuk pelanggan yang ingin melakukan outsourcing proses pembuatan prototipe perangkat mereka
*Produk ini termasuk dalam Lampiran Tabel 1, 7(18) Perintah Pengendalian Ekspor Kementerian Ekonomi, Perdagangan dan Industri, dan izin dari Kementerian Ekonomi, Perdagangan dan Industri diperlukan untuk ekspor.
*Isi situs web ini dapat berubah tanpa pemberitahuan karena perbaikan produk.
Proyek ini merupakan bagian dari merek solusi GX "NTT G×Inno" yang dikembangkan oleh NTT Group.
*"NTT G×Inno" adalah merek dagang terdaftar dari NTT Corporation.
Ini adalah singkatan dari "NTT GX (Transformasi Hijau) x Inovasi" dan bertujuan untuk memberikan solusi kepada masyarakat melalui
Ini adalah inisiatif untuk mewujudkan inovasi di bidang GX dan berkontribusi dalam mencapai netralitas karbon pada tahun 2050.