氮化物半導體外延片
什麽是氮化物半導體外延片?
使用氮化物半導體的功率器件有望成為支持未來低碳社會的綠色器件。
NTT-AT以其氮化物半導體外延片製造技術為早日實現節能做出了貢獻。
以氮化鎵 (GaN) 為代表的氮化物半導體能夠以超出目前廣泛使用的硅功率器件極限的高功率、高耐壓、高頻、低損耗運行，因此作為下一代功率器件備受期待。
您對電源設備的開發有這樣的挑戰嗎?
- 我想嘗試各種基板類型，其中使用的基板類型尚未確定。
- 在進行少量多品種試制的同時，還希望確保將來的量產體制。
- 當然，大口徑尺寸也是必要的。
NTT-AT的氮化物半導體外延晶片
- 它具有在硅 (Si) ，藍寶石 (Al 2 O 3) ，硅碳化物 (SiC) ，氮化鎵 (GaN) 基板上晶體生長的技術，並且可以用於氮化物係統中使用的所有基板。同時進行使用多種基板品種的開發探討。不浪費客人寶貴的時間。
- 從少量的試制到量產，我們都承接。
- 也支持大口徑8英寸硅基板。通過與本公司相關部門的合作，還可以進行設備制造和材料分析。
應用示例
- USB小型快速充電器
- LED路燈
- 移動基站功率器件
- 車載動力裝置
- 家電功率器件
- 環境保護設備
HEMT structure for Power application (on 6 inch Si)
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| Part Number | GaN cap | AlGaN Barrier | AlN | Channel | |
|---|---|---|---|---|---|
| Content | Thickness | Spacer | |||
| SEE61K22227S20G | 2nm | 0.22 | 27nm | 1nm | 200nm |
| SEE61K22227S30G | 2nm | 0.22 | 27nm | 1nm | 300nm |
| SEE61K22515S30G | 2nm | 0.25 | 15nm | 1nm | 300nm |
| SEE61K22520S30G | 2nm | 0.25 | 20nm | 1nm | 300nm |
| SEE61K22525S30G | 2nm | 0.25 | 25nm | 1nm | 300nm |
| SEE61K23020S30G | 2nm | 0.30 | 20nm | 1nm | 300nm |
| SEE61K21745N30G | 2nm | 0.17 | 45nm | - | 300nm |
| SEE61K22520N30G | 2nm | 0.25 | 20nm | - | 300nm |
| SEE61K22520N35G | 2nm | 0.25 | 20nm | - | 350nm |
| SEE61K22520N40G | 2nm | 0.25 | 20nm | - | 400nm |
| SEE61K22526N15G | 2nm | 0.25 | 26nm | - | 150nm |
| SEE61K22526N20G | 2nm | 0.25 | 26nm | - | 200nm |
| SEE61K22526N35G | 2nm | 0.25 | 26nm | - | 350nm |
| SEE61K22527N35G | 2nm | 0.25 | 27nm | - | 350nm |
| SEE61K23020N30G | 2nm | 0.30 | 20nm | - | 300nm |
| SEE61K02822S30G | - | 0.28 | 22nm | 1nm | 300nm |
| Cap Layer | |
|---|---|
| Material | GaN |
| Thickness | 2 (nm) or No cap |
| Barrier | |
| Material | AlGaN |
| Al content | 20~30 (%) |
| Thickness | 15~ 27 (nm) |
| Channel | |
| Material | GaN |
| Thickness | 150~400 (nm) |
| Buffer | |
| Doping | C-doping |
| Thickness | ~3900 (nm) |
| Substrate | |
| Silicon | 1mm thickness |
| Features | |
| 薄層電阻：350~400 ohm/sq. (w/ AlN spacer), 450~500 ohm/sq. (w/o AlN spacer) 電子遷移率：~1700 至 1900 cm2 /Vs FWHM (002)：<800 弧秒 FWHM (102)：<1400 弧秒 擊穿電壓：800V – 1000V（取決於器件結構） 彎曲值：< 50um |
|
AlGaN/GaN HEMT結構外延產品 (一例)
| Buffer Layer | Material: (Al)GaN | |||
|---|---|---|---|---|
| Thickness: 1~3 μm | ||||
| Barrier Layer | Material: AlGaN with or without AlN spacer | |||
| doped or un-doped | ||||
| Al-content:10~50% | ||||
| 厚度：<~50nm | ||||
| Cap Layer | Material: GaN | |||
| doped or un-doped | ||||
| Thickness: 0~5 nm | ||||
| Substrate | Si | Sapphire | SiC | GaN |
| 4~8 inch ※ | 2~3 inch | 2～6 inch | 2~4 inch | |
※如果您希望3英寸以下的小口徑，請與我們聯係。
現有產品線（6吋和8吋）
| on Si substrate | AlGaN/GaN HEMT structure | |
|---|---|---|
| 6 inch | 8 inch | |
| GaN cap | ✔ | ✔ |
| in-situ SiN (~5nm) | ✔ | ✔ |
| in-situ SiN (~40nm) | ✔ | ✔ |
|
p-GaN (~80nm)
(Mg: 2x1019 cm-3) |
✔ | ✔ |
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資料檔：“裝置製造良率預期提高－8吋AlGaN/GaN外延晶圓具有優異的均勻性”
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本案例是NTT集團開發的GX解決方案品牌“NTT G×Inno” ※之一。
※“NTT G×Inno”為NTT株式會社的註冊商標。
是“NTT GX (Green Transformation) ×Innovation”的簡稱，通過向社會提供解決方案
在GX領域進行Innovation (變革)，為實現2050年碳中和做出贡獻。